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三极管技术参数及型号查询大全

文章出处:颖展电子元器件   责任编辑:颖展电子   发布时间:2016-08-08 15:48:00    点击数:-   【

颖展电子在上一文《普通三极管代换原则及主要技术参数有哪些》中提及了三极管8050代换原则以及三极管技术参数等问题,本文在此继续详细补充。在上一文提及的三极管的频率特性参数主要包括共发射极截止频率、特征频率和最高振荡频率等,下面接着讲解特征频率和最高振荡频率,以及附表三极管查询大全免费提供下载。


 特征频率三极管的工作频率超过截止频率或f.(共基极截止频率)时,其电流放大系数值降为1时三极管的工作频率。

 最高振荡频率;最高振荡频率是指三极管的功率增益降为1时所对应的频率。通常,高频三极管的最高振荡频率低于个共基极截止频率,而特征频率则高于共基极截止频率。低于共集电极截止频率。如S9018的特征频率为700MHZ,S9012的特征频率为150MHZ,2SA670的特征频率为15MHZ.

 极限参数。三极管的极限参数包括集电极最大电流Icm、最大反向电压、反向电流和耗散功率。

  •  集电极最大电流Icm是指三极管 集电极所允许通过的最大电流。当三极管的集电极电流Ic超过Icm时,三极管的  值等参数将发生明显变化,影响其正常工作,甚至还会损坏。因此,在实际使用中必须使Ic<Icm。如S9011的集电极最大电流Icm为30mA,S9012的集电极最大电流Icm为500mA,S9012的集电极最大电流Icm为500mA,2SB337的集电极最大电流Icm为7A.

 最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极-发射极反向击穿电压、集电极-基极反向击穿电压和发射极-基极反向击穿电压。集电极-发射极反向击穿电压是指当晶体管基极开路时,其集电极与发射极之间最大允许反向电压,一般用Uceo表示;发射极-基极反向击穿电压是指当晶体管的集电极开路时,其发射极与基极之间的最大允许反向电压,用Uebo或    表示;发射极-基极反向击穿电压是指当晶体管的集电极开路时,其发射极与基极之间的最大允许反向电压,用Uebo或BUebo表示。如S9015的最大反向电压BUebo为45v,S9018的最大反向电压BUebo为15V.

三极管技术参数

 三极管的反向电流包括其集电极-基极之间的反向电流Icbo和集电极-发射极之间的反向击穿电流Iceo。集电极-基极之间的反向电流Iceo也称集电结反向漏电电流,是指当晶体管的发射极开路时,集电极与基极之间的反向电流。Icbo对温度比较敏感,该值越小,说明晶体管的温度特性越好;集电极-发射极之间的反向漏电电流,也称穿透电流。此电流值越小,说明晶体管的性能越好。

 耗散功率也称集电极最大允许耗散功率Pcm,是指三极管是指三极管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与三极管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。三极管在使用时,其实际功率不允许超过Pcm值,否则会造成晶体管因过载而损坏。通常将耗散功率Pcm小于1W的晶体管称为小功率晶体管,将Pcm等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。如S9012的Pcm为625mW,2SB556K的Pcm为40w。

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